三星高帶寬內(nèi)存HBM3E 傳Q3將供貨英偉達(dá)

臺(tái)系供應(yīng)鏈近期傳出，三星的最新一代高帶寬內(nèi)存HBM3E，將于8月通過(guò)英偉達(dá)認(rèn)證，并于第三季加入供貨行列。

　　三星對(duì)此一消息，迄今并未證實(shí)。但業(yè)界人士分析，在SK海力士、三星及美光前三大廠，擴(kuò)產(chǎn)升級(jí)HBM制程后，內(nèi)存總投片量將不增反減，對(duì)通用型DRAM產(chǎn)能排擠效應(yīng)，也將逐漸顯現(xiàn)，將有助于DRAM價(jià)格維持漲勢(shì)。

　　目前SK海力士和美光是英偉達(dá)的HBM3E主要供應(yīng)商，并已開始出貨，而英偉達(dá)對(duì)三星的HBM3E認(rèn)證，據(jù)傳將于近期拍板定案，較原先預(yù)期的第四季提早。

　　目前內(nèi)存除了服務(wù)器應(yīng)用外，其余消費(fèi)型產(chǎn)品近期的拉貨動(dòng)能轉(zhuǎn)弱，但臺(tái)系供應(yīng)鏈預(yù)料，內(nèi)存三大廠至少挪移約20％～30％產(chǎn)能生產(chǎn)HBM，勢(shì)將造成DRAM供應(yīng)緊缺，進(jìn)一步推動(dòng)DRAM價(jià)格上漲。此外，前三大廠近來(lái)相繼投入資本支出升級(jí)HBM制程，但總投片量將不增反減，預(yù)期2025年產(chǎn)量將由144.6萬(wàn)片，減少至134.6萬(wàn)片。

　　另一方面，市場(chǎng)需求回復(fù)成長(zhǎng)，據(jù)IDC預(yù)估，2024年全球手機(jī)將成長(zhǎng)4％，達(dá)12.1億部，并在2024～2028年保持溫和2.3％的年復(fù)合成長(zhǎng)，考量各品牌陸續(xù)推出搭載AI相關(guān)功能的產(chǎn)品后，對(duì)內(nèi)存規(guī)格要求的提升，將有助推動(dòng)DRAM的出貨表現(xiàn)。

　　另外，全球數(shù)據(jù)中心雨后春筍般的建置，也一定程度刺激服務(wù)器用內(nèi)存的需求量，而內(nèi)存三大原廠皆表示，將持續(xù)擴(kuò)大HBM產(chǎn)能，通用型DRAM產(chǎn)能受到排擠下，DRAM價(jià)格將有望保持上升趨勢(shì)。

　　業(yè)者也指出，目前下游零組件庫(kù)存已相對(duì)充足，因此預(yù)計(jì)2024年第三季價(jià)格調(diào)漲幅度將低于上半年，但整體而言，內(nèi)存后市仍可正向看待。