HBM內(nèi)存高度定制化 明年需求仍看好

       高帶寬內(nèi)存（HBM）供需問(wèn)題，成為內(nèi)存產(chǎn)業(yè)界高度關(guān)注問(wèn)題，法人機(jī)構(gòu)調(diào)查后發(fā)現(xiàn)，2025年HBM需求有上升空間，且因定制化程度高，通用性也不強(qiáng)，在國(guó)際廠商計(jì)劃性生產(chǎn)下，預(yù)期2025年不易有超額供給問(wèn)題。

　　HBM是一種可以用于高速計(jì)算、能運(yùn)送大量資料的內(nèi)存，目前市場(chǎng)由三星、SK海力士與美光三大DRAM廠所壟斷。

　　臺(tái)系廠商未生產(chǎn)HBM，因此法人關(guān)注重點(diǎn)在于，三大DRAM廠產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)情況，對(duì)整體DRAM供需及報(bào)價(jià)的影響，以及臺(tái)廠如威剛等，在HBM延伸應(yīng)用領(lǐng)域的進(jìn)度。

　　市場(chǎng)法人分析，2025年HBM主流規(guī)格，將轉(zhuǎn)為8層和12層的HBM3E，其中，12層的HBM3E將搭配英偉達(dá)的Blackwell系列，以及超微（AMD）的MI325、MI350等AI加速器使用。

　　根據(jù)調(diào)查發(fā)現(xiàn)，盡管市場(chǎng)上英偉達(dá)芯片延遲出貨傳聞不斷，但該券商重申，三星及SK海力士的12層HBM3E，皆將于2024年第四季開始出貨給英偉達(dá)。

　　該券商預(yù)測(cè)，隨著客戶詢問(wèn)熱度不退，2025年HBM需求，仍有上升空間，可能接近或超過(guò)瑞銀預(yù)測(cè)的223億GB。

　　另?yè)?jù)市場(chǎng)法人調(diào)查發(fā)現(xiàn)，由于HBM定制化程度高，需通過(guò)英偉達(dá)、超微及ASIC方案商驗(yàn)證通過(guò)，才能正式出貨，屬計(jì)劃性生產(chǎn)，供給增加量有限。

　　在制程上，HBM前段制程與DDR5共用，后段硅穿孔（TSV）及熱壓鍵合（TCB）等設(shè)備為特殊用途。HBM供應(yīng)商不致于因設(shè)備的折舊壓力，而生產(chǎn)過(guò)多產(chǎn)品，因此，研判2025年HBM出現(xiàn)供給過(guò)剩的幾率不大。

　　法人預(yù)期，三星、SK海力士與美光三大DRAM廠商，在2025年將致力于升級(jí)到1b／1β，甚至1c納米制程，以應(yīng)對(duì)未來(lái)服務(wù)器市場(chǎng)對(duì)下一代高帶寬內(nèi)存HBM3E、128GB或更高DDR5模組需求。

　　至于用于生產(chǎn)DDR4、DDR3等成熟制程供給，三大DRAM廠商則將持續(xù)減少，因此，法人研判，2025年DRAM市場(chǎng)供需有望維持平衡。