內(nèi)存需求展望疲弱 研調(diào)預測明年走勢看跌

       內(nèi)存產(chǎn)業(yè)議定合約價格的關(guān)鍵在第4季，不過研調(diào)機構(gòu)調(diào)研機構(gòu)最新調(diào)查制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應充足、需求萎縮，目前價格已呈現(xiàn)跌勢；DDR5與LPDDR5X等先進制程產(chǎn)品的需求展望尚不明確，加上部分買賣方庫存水位偏高，價格不排除于今年第4季底開始下跌。

　　調(diào)研機構(gòu)資深研究副總吳雅婷表示，先前因3大供應商積極建置HBM產(chǎn)能，加上預計新廠到2026年才會步入量產(chǎn)階段等因素，因而調(diào)研機構(gòu)原本對于2025年DRAM價格走勢看法偏樂觀。

　　然而，近期市場動態(tài)變化快速，使得調(diào)研機構(gòu)對明年的價格預測進行調(diào)整，由上漲轉(zhuǎn)為下跌，而2025年上半的跌幅較明顯，其中，DDR4和LPDDR4X的降價壓力將持續(xù)大于DDR5與LPDDR5X。

　　從供給角度分析，由于NAND Flash市況同步轉(zhuǎn)弱、且獲利能力較DRAM產(chǎn)品差，將促使部分產(chǎn)線從NAND Flash轉(zhuǎn)向DRAM。此外，雖然HBM3e 12hi明年有望快速成為AI應用主流，但并非每家供應商都能如期通過NVIDIA認證，因此供應商將TSV產(chǎn)能轉(zhuǎn)回一般型DRAM的可能性增加。

　　吳雅婷表示，由于中國業(yè)者產(chǎn)能擴張快速，成為3大供應商以外的最大的供給來源，除此之外，消費型電子產(chǎn)品需求持續(xù)弱化，也將為2025年DRAM價格走勢帶來沖擊，若廠商未能做好產(chǎn)能調(diào)控，整體產(chǎn)業(yè)庫存的去化速度將更加緩慢。